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一种碳化硅外延结构的制备方法
申请人信息
- 申请人:南京百识电子科技有限公司
- 申请人地址:210000 江苏省南京市浦口区大余所路5号中科创新产业园A11栋
- 发明人: 南京百识电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅外延结构的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311763557.6 |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117448955A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | C30B25/16 |
| 权利人 | 南京百识电子科技有限公司 |
| 发明人 | 陈威佑; 宣融; 胡智威 |
| 地址 | 江苏省南京市浦口区大余所路5号中科创新产业园A11栋 |
摘要文本
本发明属于碳化硅外延结构技术领域，具体涉及一种碳化硅外延结构的制备方法。本发明提供了一种碳化硅外延结构的制备方法，包括以下步骤：将碳化硅衬底置于反应腔室中，向反应腔室中通入碳源、硅源和氮气，采用垂直气流方向外延生长方式，在所述碳化硅衬底的表面依次生长碳化硅缓冲层和碳化硅外延层，得到所述碳化硅外延结构；所述生长碳化硅外延层时，气体喷头的内圈、中圈和外圈的硅碳比分别为1.65~1.85、1.46~1.66和1.3~1.5。本发明通过调控外延层生长过程中的硅碳比，使得在外延层生长的过程中，形成不同的背景浓度，进而实现调控不同分区中的氮掺杂浓度的目的，提高氮掺杂浓度的均一性以及碳化硅外延结构的质量。
专利主权项内容
1.一种碳化硅外延结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将碳化硅衬底置于反应腔室中，向反应腔室中通入碳源、硅源和氮气，采用垂直气流方向外延生长方式，在所述碳化硅衬底的表面依次生长碳化硅缓冲层和碳化硅外延层，得到所述碳化硅外延结构；所述生长碳化硅外延层时，气体喷头的内圈、中圈和外圈的硅碳比分别为1.65~1.85、1.46~1.66和1.3~1.5。