← 返回列表
一种双异质结基电泵浦单模激光二极管及其制备方法
申请人信息
- 申请人:南京航空航天大学
- 申请人地址:210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号南京航空航天大学
- 发明人: 南京航空航天大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种双异质结基电泵浦单模激光二极管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311319936.6 |
| 申请日 | 2023/10/12 |
| 公告号 | CN117394140A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | H01S5/32 |
| 权利人 | 南京航空航天大学 |
| 发明人 | 姜明明; 徐凯; 阚彩侠 |
| 地址 | 江苏省南京市秦淮区御道街29号 |
摘要文本
本发明公开了一种双异质结基电泵浦单模激光二极管及其制备方法，该发明所述双异质结基电泵浦单模激光二极管包括p‑GaN衬底、n‑AlGaN衬底、PtNPs@ZnO : Ga复合微米线、MgO低介电绝缘层、Pt纳米薄膜层、Ni/Au薄膜电极；所述制备方法通过结合p‑GaN衬底和n‑AlGaN衬底以及在器件中引入MgO低介电绝缘层和Pt纳米薄膜层作为缓冲层，同时利用Pt纳米颗粒修饰ZnO微米线，从而筑构双异质结基电泵浦单模激光二极管。相较于现有技术，本发明可以有效限域光场以提高增益和降低界面处的光损耗，提高载流子的注入效率，在正向偏压下，实现了高品质电泵浦单模激光。
专利主权项内容
1.一种双异质结基电泵浦单模激光二极管，其特征在于，包括p-GaN衬底(1)、n-AlGaN衬底(2)、与p-GaN衬底(1)连接的第一Ni/Au薄膜电极(6)、与n-AlGaN衬底(2)连接的第二Ni/Au薄膜电极(7)，设置于p-GaN衬底(1)表面的MgO低介电绝缘层(4)、设置于MgO低介电绝缘层(4)表面的Pt纳米薄膜层(5)，设置于Pt纳米薄膜层(5)及n-AlGaN衬底(2)之间的PtNPs@ZnO : Ga复合微米线(3)，该复合微米线(3)同时与Pt纳米薄膜层(5)及n-AlGaN衬底(2)连接。