一种PtNPs@n-ZnO : Ga/p-SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法

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本发明公开了一种PtNPs@n‑ZnO : Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器及其制备方法，该发明所述PtNPs@n‑ZnO : Ga/p‑SiC异质结基自驱动紫外光电探测器包括p‑SiC衬底、PET、PtNPs@ZnO : Ga微米线、金属Ag薄膜电极、金属Ti/Au合金电极、石墨烯电极；所述制备方法通过单根n‑ZnO : Ga微米线和p‑SiC衬底构筑有效的p‑n型结构，并采用石墨烯电极作为顶部透明电极，提高入射透过率，同时石墨烯电极和n‑ZnO : Ga微米线形成的肖特基势垒能极大地促进光生电子的传输、收集和捕获。相较于现有技术，本发明通过构筑PtNPs@n‑ZnO : Ga/p‑SiC异质结构，在自驱动条件(0V偏压)下，实现对335nm紫外光的高响应度、高比探测率和高外量子效率。