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一种硅基高饱和探测器及其制备方法
申请人信息
- 申请人:江苏联格科技有限公司
- 申请人地址:226000 江苏省南通市开发区崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼3层
- 发明人: 江苏联格科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅基高饱和探测器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311817293.8 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN117712201A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L31/0236 |
| 权利人 | 江苏联格科技有限公司 |
| 发明人 | 郑志明 |
| 地址 | 江苏省南通市开发区崇州大道60号南通创新区紫琅科技城8号楼3层 |
摘要文本
本发明公开了一种硅基高饱和探测器及其制备方法，n型轻掺杂区设置在SOI衬底上侧，n型轻掺杂区两侧形成n型重掺杂区，光吸收层设置在n型轻掺杂区的上侧，光吸收层上表面设置有光吸收层p型重掺杂区，二氧化硅窗口层设置在SOI衬底上侧且二氧化硅窗口层上开有与光吸收层匹配的渐变窗口，绝缘介质层设置在光吸收层和二氧化硅窗口层上侧，多个电极分别与n型重掺杂区或光吸收层p型重掺杂区连接，SOI衬底底部开孔，反射导热金属设置在SOI衬底底部开孔内以及SOI衬底底面上。本发明具有高响应度、高饱和光功率和机械结构稳定的优势。。该数据由<专利查询网>整理
专利主权项内容
1.一种硅基高饱和探测器，其特征在于：包含SOI衬底、n型轻掺杂区、光吸收层、二氧化硅窗口层、绝缘介质层、电极和反射导热金属，n型轻掺杂区设置在SOI衬底上侧，n型轻掺杂区两侧形成n型重掺杂区，光吸收层设置在n型轻掺杂区的上侧，光吸收层上表面设置有光吸收层p型重掺杂区，二氧化硅窗口层设置在SOI衬底上侧且二氧化硅窗口层上开有与光吸收层匹配的渐变窗口，绝缘介质层设置在光吸收层和二氧化硅窗口层上侧，多个电极分别与n型重掺杂区或光吸收层p型重掺杂区连接， SOI衬底底部开孔，反射导热金属设置在SOI衬底底部开孔内以及SOI衬底底面上。。来自马-克-数-据-官网