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一种高耐压GaN HEMT器件
申请人信息
- 申请人:江苏希尔半导体有限公司; 乐山希尔电子股份有限公司; 乐山嘉洋科技发展有限公司
- 申请人地址:226010 江苏省南通市开发区广州路42号530室
- 发明人: 江苏希尔半导体有限公司; 乐山希尔电子股份有限公司; 乐山嘉洋科技发展有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高耐压GaN HEMT器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311636389.4 |
| 申请日 | 2023/12/1 |
| 公告号 | CN117423724A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 江苏希尔半导体有限公司; 乐山希尔电子股份有限公司; 乐山嘉洋科技发展有限公司 |
| 发明人 | 邓华鲜 |
| 地址 | 江苏省南通市开发区广州路42号530室; 四川省乐山市高新区南新东路3号; 四川省乐山市高新区建业大道2号 |
摘要文本
本发明公开了一种高耐压GaN HEMT器件，包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、SIPOS材料层、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、绝缘栅介质、栅槽沟、源极、漏极和栅极，衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层从下至上依次设置；源极和漏极分别在势垒层的左端和右端，第一绝缘介质层在势垒层上方的左侧，SIPOS材料层在势垒层上方的右侧；第二绝缘介质层在SIPOS材料层的上方并与第一绝缘介质层之间形成连接通道，源极的右侧上部向右延伸并与SIPOS材料层连接；栅槽沟开设在势垒层上，栅极通过绝缘栅介质设置在栅槽沟内。本发明旨在不牺牲比导通电阻的前提下实现650V以上的高压HEMT器件，达到了应用于高压大电流场景的目的。
专利主权项内容
1.一种高耐压GaN HEMT器件，其特征在于：包括衬底层、GaN缓冲层、非故意掺杂的GaN沟道层、AlGaN势垒层、SIPOS材料层、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、绝缘栅介质、栅槽沟、源极、漏极和栅极；其中，所述衬底层、GaN缓冲层、非故意掺杂的GaN沟道层和AlGaN势垒层从下至上依次设置；所述源极设置在AlGaN势垒层的左端并与AlGaN势垒层形成欧姆接触，所述漏极设置在AlGaN势垒层的右端并与AlGaN势垒层形成欧姆接触；所述第一绝缘介质层设置在AlGaN势垒层上方的左侧，所述SIPOS材料层设置在AlGaN势垒层上方的右侧并与漏极连接；所述第二绝缘介质层设置在SIPOS材料层的上方，且第二绝缘介质层与第一绝缘介质层之间形成连接通道，所述源极的右侧上部从第一绝缘介质层上方向右延伸，并通过连接通道与SIPOS材料层连接；所述栅槽沟开设在AlGaN势垒层上并位于第一绝缘介质层下方，所述栅极通过绝缘栅介质设置在栅槽沟内。