一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺
申请人信息
- 申请人:南通威斯派尔半导体技术有限公司
- 申请人地址:226000 江苏省南通市南通高新技术产业开发区双福路118号
- 发明人: 南通威斯派尔半导体技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311296515.6 |
| 申请日 | 2023/10/9 |
| 公告号 | CN117377210A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H05K3/00 |
| 权利人 | 南通威斯派尔半导体技术有限公司 |
| 发明人 | 谢继华; 戴锐锋 |
| 地址 | 江苏省南通市南通高新技术产业开发区双福路118号 |
摘要文本
本发明公开了一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，涉及Si3N4陶瓷覆铝基板制作技术领域，包括下列第一种工艺路线和第二种工艺路线，第一种工艺路线：切割‑丝印‑烧结‑磨刷‑贴膜‑曝光‑显影‑化银‑终检；第二种工艺路线：丝印‑烧结‑磨刷‑贴膜‑曝光‑显影‑切割‑化银‑终检；本发明通过改变对于氮化硅陶瓷覆铝基板的工艺路线，将切割工艺放在化银工艺之前，能够有效避免激光切割导致的铜侧壁的氧化污染问题；解决了激光切割导致的化银面变色，氧化，污染等问题；解决了激光切割产生的粉尘会污染产品问题；解决了化银产品在环境中停留时间偏长，易造成化银面变色、氧化和污染等问题。 来自马-克-数-据-官网
专利主权项内容
1.一种适用于Si3N4陶瓷覆铝基板的制作工艺，其特征在于：包括下列工艺路线：S1，首先将Ag、Al、Ti元素直接以粉末形式混合制成浆料，并形成可以使用的氮化硅陶瓷基板；S2，采用丝网印刷技术将Ag-Al-Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上；S3，再利用热压技术将铝箔层压在焊料上；S4，接着对氮化硅陶瓷基板进行烧结，当烧结温度达到210℃以上时，在氧气环境中银粉中的有机添加剂会因高温分解而挥发，最终变成纯银连接层，不会产生杂质相；整个烧结过程是银粉颗粒致密化的过程，烧结完成后即可形成良好的机械连接层；S5，然后对氮化硅陶瓷基板进行曝光和贴膜处理：将菲林片置于经压合在基板上的干膜之上，利用底片成像原理，曝光机产生紫外光，使铬板上的膜发生聚合反应生成不溶弱碱的抗蚀膜层，不需要的部分被有记载图形的菲林片遮住，不发生光聚合反应；S6，继续对氮化硅陶瓷基板进行显影操作：将未曝光部分的活性基团与碱性溶液反应生成可溶性物质而溶解下来，留下已感光交联固化的部分；S7，在对氮化硅陶瓷覆铝基板的显影操作结束后，接着对氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作；S8，在对于氮化硅陶瓷覆铝基板进行化银操作结束后，对氮化硅陶瓷覆铝基板进行产品终检即可。