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一种半导体发光元件的外延结构及制备方法
申请人信息
- 申请人:聚灿光电科技(宿迁)有限公司
- 申请人地址:223800 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧
- 发明人: 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体发光元件的外延结构及制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311756568.1 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117438514B |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L33/12 |
| 权利人 | 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 |
| 发明人 | 黎国昌; 苑树伟; 程虎; 王文君; 徐洋洋; 江汉; 徐志军 |
| 地址 | 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧 |
摘要文本
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件的外延结构及制备方法，该外延结构包括应力释放层，以及沉积在应力释放层上的多量子阱层；应力释放层包括由下至上依次沉积的第一SiC层、LTGaN层、第二SiC层、第一InGaN/GaN超晶格层、第三SiC层及第二InGaN/GaN超晶格层；第一SiC层、第二SiC层及第三SiC层用于释放应力，还用于聚集电子，以及向多量子阱层注入电子。本申请提供的外延结构在量子阱之前引入了SiC层，可以均匀且彻底地释放应力，并且可以有效聚集电子，提升电子的注入效率，进而提升LED器件亮度。
专利主权项内容
1.一种半导体发光元件的外延结构，其特征在于，包括：应力释放层；沉积在所述应力释放层上的多量子阱层；其中，所述应力释放层包括由下至上依次沉积的第一SiC层、LTGaN层、第二SiC层、第一InGaN/GaN超晶格层、第三SiC层及第二InGaN/GaN超晶格层；所述第一InGaN/GaN超晶格层及所述第二InGaN/GaN超晶格层均包括依次沉积的至少一个循环结构，每个所述循环结构包括：InGaN层，以及堆积于所述InGaN层的GaN层，所述GaN层掺杂有Si；所述循环结构的循环次数大于或者等于3；所述第一SiC层、所述LTGaN层、所述第二SiC层、所述第一InGaN/GaN超晶格层、所述第三SiC层及所述第二InGaN/GaN超晶格层用于释放应力；所述第一SiC层、所述第二SiC层及所述第三SiC层还用于聚集电子，以及向所述多量子阱层注入电子。。微信公众号马克数据网