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体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法

申请号: CN202311667199.9
申请人: 常州承芯半导体有限公司
更新日期: 2026-03-10

专利详细信息

项目 内容
专利名称 体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202311667199.9
申请日 2023/12/7
公告号 CN117375568B
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 H03H9/17
权利人 常州承芯半导体有限公司
发明人 邹雅丽; 杨新宇; 汤正杰
地址 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

摘要文本

体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法,结构包括:压电层,包括谐振区以及第一非谐振区和第二非谐振区;第一电极层,位于谐振区和第一非谐振区第一侧;第一钝化层,位于第二非谐振区、第一电极层顶部和边缘侧壁;第二电极层,位于谐振区和第二非谐振区第二侧;第二钝化层,位于第一非谐振区、第二电极层顶部和边缘侧壁;位于第一侧的第一金属层,或者,位于第二侧的第二金属层,第一金属层位于谐振区和第二非谐振区的第一钝化层表面、或者位于第一非谐振区和第二非谐振区的第一钝化层表面,第二金属层位于谐振区和第一非谐振区的第二钝化层表面、或者位于第一非谐振区和第二非谐振区的第二钝化层表面。所述体声波谐振装置的性能得到提升。

专利主权项内容

1.一种体声波滤波装置,其特征在于,包括:压电层,所述压电层包括沿垂直于压电层表面方向上相对的第一侧和第二侧,所述压电层包括谐振区以及与谐振区相邻的第一非谐振区和第二非谐振区,所述第一非谐振区和第二非谐振区相互分立;第一电极层,所述第一电极层位于所述谐振区第一侧表面和第一非谐振区第一侧表面;第一钝化层,所述第一钝化层位于第二非谐振区第一侧表面、第一电极层顶部表面和第一电极层边缘侧壁表面;第二电极层,所述第二电极层位于所述压电层第二侧表面,所述第二电极层位于所述谐振区第二侧表面和第二非谐振区第二侧的部分表面;第二钝化层,所述第二钝化层位于第一非谐振区第二侧表面、第二电极层顶部表面和第二电极层边缘侧壁表面;位于第一侧的第一金属层,或者,位于第二侧的第二金属层,所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面,或者,所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面,所述第一金属层、第一钝化层和第一电极层构成第一电容,所述第一金属层与所述第二电极层电连接,所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面,或者,所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面,所述第二金属层、第二钝化层和第二电极层构成第二电容,所述第二金属层与所述第一电极层电连接。