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一种温度传感器及其制备方法

申请号: CN201710362051.2
申请人: 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院; 中山大学
更新日期: 2026-03-08

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种温度传感器及其制备方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201710362051.2
申请日 2017年5月19日
公告号 CN107063498B
公开日 2024年1月30日
IPC主分类号 G01K7/34
权利人 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院; 中山大学
发明人 王凯; 冯肖; 李伟伟
地址 广东省佛山市顺德区大良南国东路9号; 广东省广州市海珠区新港西路135号

摘要文本

广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院; 中山大学获取“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种温度传感器,包括双栅薄膜晶体管和温度传感电容,并且形成因温度变化引起电流改变的传感器件。所述温度传感电容与双栅薄膜晶体管的顶栅电极集成,并且形成因温度变化引起电流变化的传感器件。所述传感器件包括自上而下依次分布的上极板、电容介质层、充当顶栅电极的下极板、晶体管的顶栅绝缘层、半导体层、晶体管的底栅绝缘层、基板;所述的顶栅绝缘层内设有源极和漏极;所述底栅绝缘层内设有底栅电极。采用本发明所述的温度传感器,具有高灵敏度和电路简单的特点。 来自:

专利主权项内容

1.一种温度传感器,其特征在于,包括双栅薄膜晶体管和温度传感电容,并且形成因温度变化引起电流改变的传感器件;所述温度传感电容与双栅薄膜晶体管的顶栅电极集成, 并且形成因温度变化引起电流变化的传感器件;所述传感器件包括自上而下依次分布的上极板、电容介质层、充当顶栅电极的下极板、晶体管的顶栅绝缘层、半导体层、晶体管的底栅绝缘层、基板;所述的顶栅绝缘层内设有源极和漏极;所述底栅绝缘层内设有底栅电极。 更多数据:搜索马克数据网来源: