一种微米尺寸倒装LED芯片及其制备方法
申请人信息
- 申请人:华南理工大学
- 申请人地址:510640 广东省广州市天河区五山路381号
- 发明人: 华南理工大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种微米尺寸倒装LED芯片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201710405621.1 |
| 申请日 | 2017年6月1日 |
| 公告号 | CN107195747B |
| 公开日 | 2024年3月26日 |
| IPC主分类号 | H01L33/14 |
| 权利人 | 华南理工大学 |
| 发明人 | 黄华茂; 王洪; 杨倬波; 陈迪涛; 梁思炜 |
| 地址 | 广东省广州市天河区五山路 |
摘要文本
华南理工大学获取“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开一种微米尺寸倒装LED芯片及其制备方法，特点是制备LED的GaN外延层是台型结构，台型结构的台基和台面都呈圆台型，台基上分布有n‑电极圆环，台面顶部的边缘分布有电流扩展圆环，电流扩展材料在300℃的温度下不会发生离子扩散，电流扩展圆环顶部的边缘和台型结构的侧壁是钝化层，钝化层采用化学气相沉积介质绝缘层和周期数不小于1的分布布拉格反射镜层，台面顶部和钝化层侧壁覆盖p‑反射电极层。本发明可提高反射镜的反射率，同时避免反射电极层中的金属扩散导致的漏电现象，并且在光刻工艺中具有较大的对准容差。
专利主权项内容
1.一种微米尺寸倒装LED芯片，其特征是制备该LED芯片的GaN外延层是台型结构，台型结构的台基和台面都呈圆台型，台基上分布有n-电极圆环，台面顶部的边缘分布有电流扩展圆环，电流扩展圆环顶部的边缘和台型结构的侧壁设有钝化层，台面顶部和钝化层侧壁覆盖p-反射电极层；LED芯片是倒装结构，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n-GaN层、量子阱层、p-GaN层、芯片边缘的电流扩展圆环，n-GaN层包括台基和台面，台基的上表面边缘设有n-电极层即所述n-电极圆环；芯片边缘的电流扩展圆环设在p-GaN层顶部的边缘，缓冲层、非故意掺杂GaN层、n-GaN层、量子阱层、p-GaN层、芯片边缘的电流扩展圆环、n-电极层一起叠成后的侧壁设有钝化层，芯片边缘的电流扩展圆环、n-电极层的上表面也设有钝化层，p-GaN层顶部除芯片边缘的电流扩展圆环外的部位被p-反射电极层覆盖，钝化层的外侧壁也被p-反射电极层覆盖；所述台面顶部的直径是微米数量级，数值为10μm～100μm；所述圆台侧壁与底边的夹角的范围是20°-50°；所述电流扩展圆环的外边界与台面顶部的边界的距离小于5μm；所述电流扩展圆环即电流扩展层在蓝光和绿光波段具有高透过率，与GaN形成低欧姆接触电阻，且在300℃的温度下不会发生离子扩散；所述钝化层由介质绝缘层和分布布拉格反射镜层组成，所述分布布拉格反射镜的周期数不小于1，周期结构的低折射率材料/高折射率材料是SiO/SiN。2x 马-克-数据