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一种可抑制中心波长漂移的MEMS光谱成像系统及方法

申请号: CN202410029224.9
申请人: 优尼科(青岛)微电子有限公司
更新日期: 2026-03-16

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种可抑制中心波长漂移的MEMS光谱成像系统及方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410029224.9
申请日 2024/1/8
公告号 CN117824834A
公开日 2024/4/5
IPC主分类号 G01J3/28
权利人 优尼科(青岛)微电子有限公司
发明人 魏威; 方鹏程
地址 山东省青岛市崂山区松岭路169号青岛国际创新园B座8层B1-1

摘要文本

本发明主要提供了一种可抑制中心波长漂移的MEMS光谱成像系统及方法,属于光谱测量成像校准技术领域,将MEMS法布里珀罗干涉腔安装于图像传感器CMOS与光学成像镜头之间,在光学成像镜头内对光束进行校准,使得通过腔体的光束的主光线以平行于法布里珀罗干涉腔玻璃平片的法线方向进入,使得每个视场经过法布里珀罗干涉腔的主光线的光程之间的差异小于2%。本发明在面曝光的场景下,提出了一种可以从根本上实现基于MEMS光谱成像的中心波长漂移抑制的系统与方法,光谱漂移的程度降低了20倍;极大的提升了基于MEMS实现面曝光的光谱成像相机的实用性、经济性、准确性和可靠性。

专利主权项内容

1.一种可抑制中心波长漂移的MEMS光谱成像系统,光谱成像系统结构包括光学成像镜头、MEMS法布里珀罗干涉腔和图像传感器CMOS,其特征在于:将MEMS法布里珀罗干涉腔安装于图像传感器CMOS与光学成像镜头之间,所述光学成像镜头内设置有纠正镜头系统,所述纠正镜头系统用于对光束校准,使得通过腔体的光束的主光线以平行于法布里珀罗干涉腔玻璃平片的法线方向进入,使得每个视场经过法布里珀罗干涉腔的主光线的光程之间的差异小于2%。 关注公众号