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一种半导体级石墨粉的深度纯化方法
申请人信息
- 申请人:山西烁科晶体有限公司
- 申请人地址:030000 山西省太原市综改示范区太原潇河园区汾潇街9号
- 发明人: 山西烁科晶体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体级石墨粉的深度纯化方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410190263.7 |
| 申请日 | 2024/2/21 |
| 公告号 | CN117735544A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | C01B32/215 |
| 权利人 | 山西烁科晶体有限公司 |
| 发明人 | 许正; 魏汝省; 马康夫; 李天; 张辰宇; 李刚; 陈琪; 靳霄曦 |
| 地址 | 山西省太原市综改示范区太原潇河园区汾潇街9号 |
摘要文本
本发明公开了一种半导体级石墨粉的深度纯化方法，属于石墨粉提纯技术领域，包括以下步骤：将石墨粉置于加热炉中，抽真空；加热炉升温至1500‑1800℃，循环抽气充氩气直至低沸点杂质被去除；加热炉继续升温至2000‑2200℃，通入氩气和以及带氯元素和氟元素的烷烃类气体化合物的混合气体，循环抽气充混合气体直至高沸点被去除；降温，持续通入氩气，开炉取料。本发明采用上述的一种半导体级石墨粉的深度纯化方法，在原石墨氯化焙烧法的基础上新增了带有氟元素的烷烃类气体，可将石墨粉中的硼杂质除去，达到对石墨粉的深度纯化以满足高性能碳化硅单晶衬底的制备要求。 （）
专利主权项内容
1.一种半导体级石墨粉的深度纯化方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将石墨粉置于加热炉中，抽真空；(2)加热炉升温至1500-1800℃，循环抽气充氩气直至低沸点杂质被去除；(3)加热炉继续升温至2000-2200℃，通入氩气以及带氯元素和氟元素的烷烃类气体化合物的混合气体，循环抽气充混合气体直至高沸点被去除；(4)降温，持续通入氩气，开炉取料。