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高电阻率电感器
申请人信息
- 申请人:百斯特电子(广东)有限公司
- 申请人地址:528400 广东省中山市火炬开发区中山港大道70号张企科技企业孵化器7栋2楼206C区
- 发明人: 百斯特电子(广东)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 高电阻率电感器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410053586.1 |
| 申请日 | 2024/1/13 |
| 公告号 | CN117831907A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01F27/255 |
| 权利人 | 百斯特电子(广东)有限公司 |
| 发明人 | 练坚友; 孟超雄 |
| 地址 | 广东省中山市火炬开发区中山港大道70号张企科技企业孵化器7栋2楼206C区 |
摘要文本
本申请涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种高电阻率电感器，高电阻率电感器包括磁体和绕组，绕组分布于磁体内部，同时，绕组外延出磁体以形成电极，使得高电阻率电感器无需电镀其它材料以减小材料间的接触电阻，磁体由Fe基纳米晶和FeSiAl粉、FeSi粉、FeNi粉中的一种或几种组成。在本申请提供的高电阻率电感器中，通过结构设计和材料配比，设计出一种高电阻率电感器，以解决传统的电感器的电阻率较小而导致感应电流较大，进而导致电感器损耗上升的技术问题。
专利主权项内容
1.一种高电阻率电感器，其特征在于，包括：磁体(1)和绕组(2)；所述绕组(2)分布于所述磁体(1)内部，同时所述绕组(2)外延出所述磁体(1)以形成电极，使得所述高电阻率电感器无需电镀其它材料以减小材料间的接触电阻；所述磁体(1)由Fe基纳米晶以及FeSiAl粉、FeSi粉、FeNi粉中的一种或几种组成，所述Fe基纳米晶的成分为76.5wt%~82wt%Fe、7.0wt%~9.5wt%Si、1.5wt%~2.5wt%Al、6.0wt%~8.0wt%B、1.5wt%~2.5wt%P、0.5wt%~1.5wt%Cu。