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光电探测器
申请人信息
- 申请人:季华实验室
- 申请人地址:528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
- 发明人: 季华实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 光电探测器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410234420.X |
| 申请日 | 2024/3/1 |
| 公告号 | CN117810275A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 季华实验室 |
| 发明人 | 刘超晖; 兰潇健; 马静 |
| 地址 | 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号 |
摘要文本
本发明提供了一种光电探测器，涉及半导体技术领域，包括硅基层、连接层、第一陷光层、第二陷光层及光栅层，硅基层上相对的两面分别为入光面和出光面；连接层设置在出光面上；第一陷光层设置在入光面朝向出光面的一侧；第二陷光层设置在出光面朝向入光面的一侧；光栅层设置在连接层与出光面之间。本发明技术方案分别在硅基层的入光面和出光面上设置了陷光层，在第二陷光层的作用下，改变了出光面的表面结构，降低了光在进入出光面时的反射率，配合光栅层与硅形成等离子体激元效应，增强硅基层的光吸收效率。在第一陷光层的作用下，提高了光的反射率，防止光从入光面射出，大大提高了硅基层的光吸收率。
专利主权项内容
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：硅基层，所述硅基层上相对的两面分别为入光面和出光面；连接层，所述连接层设置在所述出光面上；第一陷光层，所述第一陷光层设置在所述入光面朝向所述出光面的一侧；第二陷光层，所述第二陷光层设置在所述出光面朝向所述入光面的一侧；光栅层，所述光栅层设置在所述连接层与所述出光面之间。