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一种α相CsPbI3薄膜及其制备方法
申请人信息
- 申请人:季华实验室
- 申请人地址:528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
- 发明人: 季华实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种α相CsPbI3薄膜及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410164804.9 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117711950A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L21/368 |
| 权利人 | 季华实验室 |
| 发明人 | 李欣怡; 毕海; 张钰; 董美秋; 郭扬武; 于紫薇; 王魁; 杨兴龙 |
| 地址 | 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号 |
摘要文本
本申请涉及钙钛矿薄膜领域，主要涉及一种α相CsPbI3薄膜及其制备方法。其中，包括以下步骤：(1)将CsI和PbI2溶解于溶剂中，得到CsPbI3前驱体溶液；(2)将CsPbI3前驱体溶液旋涂于基底表面上，经过第一次静置，再在所述基底上滴加二苯基次膦酰氯溶液，再经过第二次静置直至基底表面颜色从黄转黑，旋转基底；(3)对基底进行退火处理，在基底上得到所述α相CsPbI3薄膜。本申请的α相CsPbI3薄膜的制备方法操作便利，成本低，成膜性好，条件容易达成，便于工厂规模化生产。通过该方法制得的α相CsPbI3薄膜结晶性好，表面致密平整，相稳定性高，对光伏材料的可拓展生产有重要意义。
专利主权项内容
1.一种α相CsPbI薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：3(1)将CsI和PbI溶解于溶剂中，得到CsPbI前驱体溶液；23(2)将所述CsPbI前驱体溶液旋涂于基底表面上，经过第一次静置，再在所述基底上滴加二苯基次膦酰氯溶液，再经过第二次静置直至所述基底表面颜色从黄转黑，旋转基底；3(3)对所述基底进行退火处理，在所述基底上得到所述α相CsPbI薄膜。3。来自马克数据网