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一种层状Ge1-xSb4+xTe7单晶体及其制备方法
申请人信息
- 申请人:季华实验室
- 申请人地址:528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
- 发明人: 季华实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种层状Ge1-xSb4+xTe7单晶体及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410246422.0 |
| 申请日 | 2024/3/5 |
| 公告号 | CN117822122A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | C30B29/46 |
| 权利人 | 季华实验室 |
| 发明人 | 李鹏; 张传林; 路璐; 米少波 |
| 地址 | 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号 |
摘要文本
本发明公开了一种层状Ge1‑xSb4+xTe7单晶体及其制备方法，涉及晶体材料制备技术领域。所述制备方法采用特定配比的锗粉、锑粉、碲粉为原料，通过高温烧制并在晶体形核和初晶生长阶段采用较慢的降温速率，以使材料形核成Ge1‑xSb4+xTe7籽晶并使晶粒逐渐长大，得到大尺寸、高质量的Ge1‑xSb4+xTe7单晶体，进而为三元Ge1‑xSb4+xTe7硫族化合物的研究和开发提供材料。
专利主权项内容
1.一种层状GeSbTe单晶体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：以摩尔比为(1-x)：(4+x)：7的锗粉、锑粉、碲粉为原料，其中，所述x为0≤x≤0.15，在真空条件下，升温至950 ℃，于该温度保温6～12 h；保温结束后，分步缓慢降温，先以1～5 ℃/min的降温速率由950 ℃降温至620 ℃，再以0.5～1 ℃/h降温速率降温至590 ℃，并于590 ℃保温6～12 h；自然冷却至室温，得到层状GeSbTe单晶体。1-x4+x71-x4+x7