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欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件
申请人信息
- 申请人:中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
- 申请人地址:511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
- 发明人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410183364.1 |
| 申请日 | 2024/2/19 |
| 公告号 | CN117747421A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L21/28 |
| 权利人 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) |
| 发明人 | 王宏跃; 柳月波 |
| 地址 | 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号 |
摘要文本
本申请涉及一种欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件，通过提供外延片，外延片包括依次层叠设置的衬底、沟道导电层、势垒层和保护层，继而，在外延片上形成光刻胶图形层，光刻胶图形层位于保护层背离势垒层的一侧，光刻胶图形层开设有第一欧姆接触窗口；继而，将形成有光刻胶图形层的外延片浸入酸性溶液中，并在光刻胶图形层所在侧采用紫外激光对形成有光刻胶图形层的外延片进行照射，以刻蚀形成第二欧姆接触窗口，其中，酸性溶液的酸度系数大于10‑4，第二欧姆接触窗口与第一欧姆接触窗口连通并暴露出沟道导电层；最后，在第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极，如此，使得欧姆接触电阻极低，刻蚀形成第二欧姆接触窗口的效率极高。
专利主权项内容
1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供外延片，包括依次层叠设置的衬底、沟道导电层、势垒层和保护层；在所述外延片上形成光刻胶图形层，所述光刻胶图形层开设有第一欧姆接触窗口，所述光刻胶图形层位于所述保护层背离所述势垒层的一侧；将形成有所述光刻胶图形层的所述外延片浸入酸性溶液中，并在所述光刻胶图形层所在侧采用紫外激光对形成有所述光刻胶图形层的所述外延片进行照射，以刻蚀形成第二欧姆接触窗口，其中，所述酸性溶液的酸度系数大于10，所述第二欧姆接触窗口与所述第一欧姆接触窗口连通，并暴露出所述沟道导电层；-4在所述第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极。 更多数据：搜索马克数据网来源：