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热阻测试方法和热阻测试电路
申请人信息
- 申请人:中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
- 申请人地址:511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号
- 发明人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 热阻测试方法和热阻测试电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410168535.3 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117706317A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | G01R31/26 |
| 权利人 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) |
| 发明人 | 王宏跃; 贺致远; 陈媛; 陈义强; 路国光 |
| 地址 | 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号 |
摘要文本
本申请涉及一种热阻测试方法和热阻测试电路。方法包括：目标宽禁带半导体器件的温度为第一温度的情况下，控制目标宽禁带半导体器件中的缺陷捕获载流子；在捕获载流子后，控制目标宽禁带半导体器件中缺陷捕获的载流子释放，并在载流子释放的过程中，采集目标宽禁带半导体器件中栅极电容的电容变化数据；根据第一温度、电容变化数据以及目标宽禁带半导体器件的功率确定目标宽禁带半导体器件的热阻。采用本方法能够可以实现宽禁带半导体器件的无损测试。
专利主权项内容
1.一种热阻测试方法，其特征在于，所述方法包括：在目标宽禁带半导体器件的温度为第一温度的情况下，控制所述目标宽禁带半导体器件中的缺陷捕获载流子；在捕获载流子后，控制所述目标宽禁带半导体器件中缺陷捕获的载流子释放，并在载流子释放的过程中，采集所述目标宽禁带半导体器件中栅极电容的电容变化数据；根据所述第一温度、所述电容变化数据以及所述目标宽禁带半导体器件的功率确定所述目标宽禁带半导体器件的热阻。