一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型

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本发明公开了一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型，涉及半导体器件建模技术，针对现有技术中临拟合程度较低等问题提出本方案。寄生部分等效电路分别设置微带线串接在本征部分等效电路的源漏栅各连接点与对应极之间；再设置栅极散粒噪声电流源串接在微带线TLg和微带线TLd之间。优点在于，采用分布参数元件与集总参数元件混合构建，提升了GaN HEMT等效电路模型在毫米波频段的适用性和准确度。所引入的有耗传输线的等效电感电阻值随频率变化，扩展了适用带宽。传输线参数可通过工艺参数或版图结构信息直接得出，简化了参数提取步骤。