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晶圆键合保持方法

申请号: CN202410228543.2
申请人: 华南理工大学
更新日期: 2026-03-17

专利详细信息

项目 内容
专利名称 晶圆键合保持方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410228543.2
申请日 2024/2/29
公告号 CN117810109A
公开日 2024/4/2
IPC主分类号 H01L21/66
权利人 华南理工大学
发明人 李国强; 陈志鹏
地址 广东省广州市天河区五山路381号

摘要文本

该数据由<专利查询网>整理 。本发明涉及晶圆键合领域,尤其涉及一种晶圆键合保持方法,本发明通过预先对用以键合的共晶层进行加热,获取共晶层加热过程中不同时间节点的流变特征,构建流变表征系数随温度变化的流变表征系数变化曲线,并确定特异变化温度区间,根据晶圆键合加压过程中实际温度与特异变化温度区间的对应关系判定是否需调整加压压力,并且,在实际温度处于特异变化温度区间内,计算压力倾向表征系数判定当前加压是否符合预定标准,根据所述压力倾向表征系数对当前加压压力进行修正,考虑共晶层材料随温度变化后流变特征的变化情况,并适应性的调整加压压力,减少共晶层向晶圆外扩散被挤出的问题,保证键合界面强度,保证键合效果。

专利主权项内容

1.一种晶圆键合保持方法,其特征在于,包括:步骤S1,对共晶层进行加热,获取共晶层加热过程中不同时间节点的流变特征,所述流变特征包括粘度以及流体剪切力;步骤S2,根据流变特征计算流变表征系数,构建所述流变表征系数随温度变化的流变表征系数变化曲线;步骤S3,根据所述流变表征系数变化曲线在不同温度区间内斜率变化情况确定特异变化温度区间;步骤S4,在晶圆键合加压过程中,实时检测晶圆的实际温度以及单层晶圆在不同位置所受压力,根据实际温度与特异变化温度区间的对应关系判定是否需调整针对晶圆的加压压力;步骤S5,在实际温度处于特异变化温度区间内,根据单层晶圆在不同位置所受压力计算压力倾向表征系数,判定当前加压是否符合预定标准,并根据所述压力倾向表征系数对当前针对晶圆的加压压力进行修正。。 (来源 马克数据网)