半导体器件及其制备方法

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本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底，所述衬底上设有STI浅隔离结构；所述STI浅隔离结构上依次层叠有第一多晶硅结构层、隔离介质层以及第二多晶硅结构层；所述第一多晶硅结构层为无掺杂的多晶硅，所述第二多晶硅结构层为重掺杂硼元素的多晶硅；所述第一多晶硅结构层上设有接触孔结构，所述接触孔结构用于在对所述第二多晶硅结构层进行高浓度硼元素的离子注入且退火激活时，监测所述第一多晶硅结构层内所述硼元素的目标掺杂浓度。本申请优化了集成电路制备的扩散工艺，从而提升集成电路器件的可靠性。