图像传感器及其形成方法

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本发明提供图像传感器及其形成方法，通过先对掩膜层执行光刻工艺，以在掩膜层上形成开口区和阻挡区，开口区贯穿掩膜层并暴露出保护层，阻挡区的上表面和侧壁累积有静电负电荷；然后执行光阻微缩工艺，微缩调整阻挡区的特征尺寸和厚度并去除阻挡区的上表面和侧壁的静电负电荷；由于静电负电荷与离子注入工艺中的离子相互排斥，而通过执行光阻微缩工艺去除阻挡区的上表面和侧壁的静电负电荷，因此，在执行离子注入工艺形成光电二极管时，避免了离子注入工艺中注入的离子均匀性异常的问题。本发明不增加掩膜版，不影响光刻机的产能，操作简单，成本低廉，图像传感器的白像素点性能改善20%以上。