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一种富含N缺陷的原子层级的超薄g-C3N4及其合成方法与应用

申请号: CN202410086597.X
申请人: 汕头大学
更新日期: 2026-03-17

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种富含N缺陷的原子层级的超薄g-C3N4及其合成方法与应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202410086597.X
申请日 2024/1/22
公告号 CN117602595A
公开日 2024/2/27
IPC主分类号 C01B21/082
权利人 汕头大学
发明人 刘志; 李阳; 叶银月
地址 广东省汕头市金平区大学路243号

摘要文本

本发明涉及一种富含N缺陷的原子层级的超薄g‑C3N4及其合成方法与应用,制备方法包括:(1)将尿素在Ar气氛下于500‑600℃下煅烧2‑4h;(2)加入有HNO3水溶液的容器中,在80‑100℃水浴下连续磁力搅拌,然后用去离子水和乙醇多次洗涤纯化,直至pH值为中性;(3)在Ar气氛中550‑650℃煅烧2‑5 h。本发明通过热硝酸辅助剥离及Ar高温煅烧将体相g‑C3N4剥离成原子薄层,合成具有接近单个原子层厚度的富含丰富N空位的超薄g‑C3N4光催化剂,能够更加高效的还原二氧化碳。在前驱体尿素的热聚合过程中利用Ar和高温破坏g‑C3N4的结晶过程选择性地原位引入氮缺陷,极大地抑制了电子重组,有利于CO2转化为一种新的、更高经济价值的产物C2H6。

专利主权项内容

1.一种富含N缺陷的原子层级的超薄g-CN的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:34(1)将尿素在Ar气氛下于500-600℃下煅烧2-4h,得到体相g-CN;34(2)将体相g-CN加入有HNO水溶液的容器中,在80-100℃水浴下连续磁力搅拌,然后用去离子水和乙醇多次洗涤纯化,直至pH值为中性;343(3)将步骤(2)洗涤纯化后的样品在Ar气氛中550-650℃煅烧2-5 h,得到富含N缺陷的原子层薄厚的g-CN。34