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一种具有二维ReS2电极的整流芯片及其制备方法
申请人信息
- 申请人:河源市众拓光电科技有限公司
- 申请人地址:517000 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边
- 发明人: 河源市众拓光电科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有二维ReS2电极的整流芯片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410208213.7 |
| 申请日 | 2024/2/26 |
| 公告号 | CN117790301A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L21/329 |
| 权利人 | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 发明人 | 李国强; 周润杰 |
| 地址 | 广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边 |
摘要文本
本发明涉及整流芯片技术领域，具体公开了一种具有二维ReS2电极的整流芯片及其制备方法，其中，具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法包括以下步骤：制作GaN肖特基二极管和制作二维ReS2电极；将二维ReS2电极转移至GaN肖特基二极管上，以使AlGaN外延层顶面和阳极结构顶面通过二维ReS2电极电气连接；该具有二维ReS2电极的整流芯片的制作方法将制备好的呈现为金属相的二维ReS2电极转移至GaN肖特基二极管上，以使AlGaN外延层顶面和阳极结构顶面通过二维ReS2电极电气连接，以获得具有二维ReS2电极的整流芯片，以提高整流芯片的电导率和电学稳定性。。 （更多数据，详见专利查询网）
专利主权项内容
1.一种具有二维ReS电极的整流芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：2S1、制作GaN肖特基二极管和制作二维ReS电极，所述GaN肖特基二极管包括顶部具有AlGaN外延层的外延片、设置在所述AlGaN外延层上且为欧姆接触的阴极结构以及设置在所述AlGaN外延层上且为肖特基接触的阳极结构；2S2、将所述二维ReS电极转移至所述GaN肖特基二极管上，以使所述AlGaN外延层顶面和所述阳极结构顶面通过所述二维ReS电极电气连接；22其中，所述制作二维ReS电极的步骤包括：2S121、提供SiO衬底，并在所述SiO衬底生长一层二维ReS；222S122、在所述二维ReS上旋涂一层PMMA后，进行烘烤；2S123、除去所述SiO衬底，以获取所述二维ReS电极。22