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基于压电薄膜调制的MEMS红外光源组件及检测装置

申请号: CN202410044500.9
申请人: 深圳市美思先端电子有限公司
更新日期: 2026-03-17

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于压电薄膜调制的MEMS红外光源组件及检测装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202410044500.9
申请日 2024/1/12
公告号 CN117553252A
公开日 2024/2/13
IPC主分类号 F21S2/00
权利人 深圳市美思先端电子有限公司
发明人 邓敏; 武斌
地址 广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区招商局光明科技园B1B2栋B2-301

摘要文本

本发明公开了一种基于压电薄膜调制的MEMS红外光源组件及检测装置,该红外光源组件包括硅衬底、支撑层、第一金属层、压电材料层、第二金属层、隔离层、发热材料层、绝缘层、红外辐射材料层、压电电极及发热电极;硅衬底中央设有衬底通孔,支撑层覆盖设置于硅衬底的上层,支撑层中一侧边向衬底通孔进行凸出延伸形成凸出支撑部。上述MEMS红外光源组件,采用压电材料层的逆压电效应来产生薄膜高频振动、发热材料层持续通电,达到光源高调制效果,且能够大幅度地提升MEMS红外光源的稳定性;采用凸出支撑部及其上层覆盖设置的材料层形成独臂梁式薄膜结构,使得该结构振动幅度更大,大幅提高了MEMS红外光源的调制深度。

专利主权项内容

1.一种基于压电薄膜调制的MEMS红外光源组件,其特征在于,包括硅衬底、支撑层、第一金属层、压电材料层、第二金属层、隔离层、发热材料层、绝缘层、红外辐射材料层、压电电极及发热电极;所述硅衬底中央设有衬底通孔,支撑层覆盖设置于所述硅衬底的上层,所述支撑层中一侧边向所述衬底通孔进行凸出延伸形成凸出支撑部;所述第一金属层为T形结构,所述第一金属层覆盖于所述支撑层延伸所述凸出支撑部的一侧边及所述凸出支撑部上;所述第一金属层上依次覆盖设置所述压电材料层、所述第二金属层、所述隔离层、所述发热材料层、所述绝缘层及所述红外辐射材料层;所述第一金属层、所述压电材料层、所述第二金属层及所述隔离层对所述凸出支撑部的覆盖宽度均与所述凸出支撑部的宽度相等,所述发热材料层、所述绝缘层及所述红外辐射材料层对所述凸出支撑部的覆盖宽度不大于所述凸出支撑部的宽度;两个第一开孔及两个第二开孔设置于与所述支撑层延伸所述凸出支撑部的一侧边对应的位置;所述第一开孔由所述发热材料层、所述绝缘层及所述红外辐射材料层依次贯穿形成;所述第二开孔由所述第一金属层、所述压电材料层、所述第二金属层、所述隔离层、所述发热材料层、所述绝缘层及所述红外辐射材料层依次贯穿形成;两个所述第一开孔内分别设置一个所述发热电极,两个所述发热电极分别与所述发热材料层的两侧进行电连接;两个所述第二开孔内分别设置一个所述压电电极,两个所述压电电极分别与所述第一金属层及所述第二金属层进行电连接;一个所述凸出支撑部及其上层对应设置的所述第一金属层、所述压电材料层、所述第二金属层、所述隔离层、所述发热材料层、所述绝缘层、所述红外辐射材料层、所述压电电极及所述发热电极组合为一个光源单元,所述硅衬底上对应设置一个或多个所述光源单元。