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一种纳米晶热处理装置及方法
申请人信息
- 申请人:深圳市普乐华科技有限公司
- 申请人地址:518107 广东省深圳市光明区公明街道李松蓢社区宝安区公明街道李松蓢社区厂房1栋101通洲工业园E栋(一照多址企业)
- 发明人: 深圳市普乐华科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种纳米晶热处理装置及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410042826.8 |
| 申请日 | 2024/1/10 |
| 公告号 | CN117747286A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01F41/02 |
| 权利人 | 深圳市普乐华科技有限公司 |
| 发明人 | 赵宇; 昌赛; 刘辉东; 戴鑫; 方俊杰 |
| 地址 | 广东省深圳市光明区公明街道李松蓢社区宝安区公明街道李松蓢社区厂房1栋101通洲工业园E栋(一照多址企业) |
摘要文本
本申请涉及一种纳米晶热处理装置及方法，涉及纳米晶热处理领域，一种纳米晶热处理装置包括内模、两个安装座以及多个挡板，两个所述安装座相对设置，所述挡板一端与一个安装座连接，另一端与另一安装座可拆卸连接，多个所述挡板共同围设形成用以成型纳米晶磁环的成型腔，所述内模位于所述成型腔中，相邻的两个挡板之间留有间隙。本申请中各部件的配合，使得纳米晶磁环的定型热处理和加磁热处理可同步进行，将纳米晶磁环的热处理工艺进行了简化，进而缩短了纳米晶磁环热处理所需的时长，提高了纳米晶磁环热处理作业的效率。 来自：马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种纳米晶热处理装置，其特征在于：包括内模(1)、两个安装座(2)以及多个挡板(3)，两个所述安装座(2)相对设置，所述挡板(3)一端与一个安装座(2)连接，另一端与另一安装座(2)可拆卸连接，多个所述挡板(3)共同围设形成用以成型纳米晶磁环的成型腔(4)，所述内模(1)位于所述成型腔(4)中，相邻的两个挡板(3)之间留有间隙。