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碳化硅IGBT的结构、制造方法及电子设备
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 碳化硅IGBT的结构、制造方法及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410176558.9 |
| 申请日 | 2024/2/8 |
| 公告号 | CN117712122A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L27/07 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 乔凯 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
一种碳化硅IGBT的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，包括左右对称的两个子场效应管结构，对称的切面为矢状面；子场效应管结构为：第四有源区位于衬底矢状面一侧，缓冲层、漂移层、第一有源层、第二有源层至下而上依次设置；远离矢状面一侧的栅极结构贯穿第一有源层和第二有源层；源极沟槽位于矢状面一侧；第一有源区位于漂移层上表面且设置于源极沟槽侧面；第二有源区位于源极沟槽底部和侧面下方且设置于漂移层中；第三有源区位于第一有源区和第二有源区之间且设置于源极沟槽侧面；从而减小续流通道开启电压和器件体积。 （来 自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种碳化硅IGBT的结构，其特征在于，包括左右对称的两个子场效应管结构，左右对称的切面为矢状面，所述子场效应管结构包括：衬底；位于所述衬底所述矢状面一侧的第四有源区；位于所述衬底的上表面和所述第四有源区上表面的缓冲层；位于所述缓冲层的上表面的漂移层；位于所述漂移层上表面的第一有源层；位于所述第一有源层上表面的第二有源层；位于远离所述矢状面一侧且贯穿所述第一有源层和所述第二有源层的栅极结构；位于所述矢状面一侧且贯穿第一有源区和第三有源区的源极沟槽；位于所述漂移层上表面且设置于源极沟槽侧面的所述第一有源区；位于源极沟槽底部并位于所述源极沟槽侧面下方且设置于所述漂移层中的第二有源区；位于所述第一有源区和所述第二有源区之间且设置于所述源极沟槽侧面的所述第三有源区；其中，所述第四有源区、所述第一有源层、所述第一有源区和所述第二有源区为第一类型；所述衬底、所述缓冲层、所述漂移层、第二有源层和所述第三有源区为第二类型。 关注公众号马 克 数 据 网