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跨导增强的低噪声放大器及射频芯片

申请号: CN202410150614.1
申请人: 深圳飞骧科技股份有限公司
更新日期: 2026-03-17

专利详细信息

项目 内容
专利名称 跨导增强的低噪声放大器及射频芯片
专利类型 发明申请
申请号 CN202410150614.1
申请日 2024/2/2
公告号 CN117713704A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 H03F1/26
权利人 深圳飞骧科技股份有限公司
发明人 童凌云; 郭嘉帅
地址 广东省深圳市南山区南头街道大汪山社区南光路286号水木一方大厦1栋1601

摘要文本

本发明适用于无线通信技术领域,尤其涉及一种跨导增强的低噪声放大器及射频芯片,包括:输入匹配电路,包括第一电容和第一电感,第一电容的第一端接信号输入端,第二端接第一电感的第一端,第一电感的第二端接地;输出匹配电路,第二电容和第二电感,第二电容的第一端接信号输出端,第二端接第二电感的第一端,第二电感的第二端接第一电源电压;放大电路,包括第一MOS管和第一电阻,第一MOS管源极接第一电容的第二端,漏极接第二电容的第二端,栅极接至第一电阻的第一端,第一电阻的第二端接偏置电压;跨导增强电路,用于将输入第一MOS管的源极的信号馈入第一MOS管的栅极。本发明在不额外增加一级放大器的前提下提升了功率增益。

专利主权项内容

1.一种跨导增强的低噪声放大器,其特征在于,包括信号输入端、输入匹配电路、放大电路、跨导增强电路、输出匹配电路和信号输出端,其中:所述输入匹配电路包括第一电容和第一电感,所述第一电容的第一端连接所述信号输入端,所述第一电容的第二端连接所述第一电感的第一端,所述第一电感的第二端接地;所述输出匹配电路包括第二电容和第二电感,所述第二电容的第一端连接所述信号输出端,所述第二电容的第二端连接所述第二电感的第一端,所述第二电感的第二端用于连接第一电源电压;所述放大电路包括第一MOS管和第一电阻,所述第一MOS管的源极连接所述第一电容的第二端,所述第一MOS管的漏极连接所述第二电容的第二端,所述第一MOS管的栅极连接至所述第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端用于连接第一偏置电压;所述跨导增强电路用于将输入至所述第一MOS管的源极的信号反馈至所述第一MOS管的栅极。。关注微信公众号马克数据网