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耐压的氮化镓功率器件的结构、芯片及电子设备
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 耐压的氮化镓功率器件的结构、芯片及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410149305.2 |
| 申请日 | 2024/2/2 |
| 公告号 | CN117690793A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L21/335 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 李孟泽; 黄伟宗 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
一种耐压的氮化镓功率器件的结构、芯片及电子设备，属于半导体技术领域，包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、第一盖层、第一未掺杂氮化镓层、第一金属层、第二金属层和第三金属层；缓冲层位于衬底的上表面；沟道层位于缓冲层的上表面；势垒层位于沟道层的上表面；第一盖层位于势垒层的上表面且部分覆盖势垒层；第一未掺杂氮化镓层位于第一盖层的上表面；第一金属层位于势垒层的上表面且位于第一盖层第一侧；第二金属层位于势垒层的上表面且位于第一盖层第二侧；第三金属层设置于第一未掺杂氮化镓层的上表面；降低第三金属层和第一盖层界面处的空穴聚集，达到降低栅极电场的效果，从而增大栅极击穿电压，降低栅极击穿的可能性，提高耐压能力。 该数据由<专利查询网>整理
专利主权项内容
1.一种耐压的氮化镓功率器件的结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底的上表面的缓冲层；位于所述缓冲层的上表面的沟道层；位于所述沟道层的上表面的势垒层；位于所述势垒层的上表面且部分覆盖所述势垒层的第一盖层；位于所述第一盖层的上表面的第一未掺杂氮化镓层；位于所述势垒层的上表面且位于所述第一盖层第一侧的第一金属层；位于所述势垒层的上表面且位于所述第一盖层第二侧的第二金属层；设置于所述第一未掺杂氮化镓层的上表面的第三金属层。。来自马-克-数-据