低噪声放大器

专利主权项内容

1.一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括信号输入端、输入防护电路、输入匹配电路、有源电路、输出匹配电路以及信号输出端；所述输入防护电路的第一输入端连接至所述信号输入端；所述输入匹配电路的输入端分别连接至所述信号输入端和所述输入防护电路的第二输出端；所述有源电路的输入端连接至所述输入匹配电路的输出端；所述输出匹配电路的输入端连接至所述有源电路的输出端；所述信号输出端连接至所述输出匹配电路的输出端；其特征在于，所述输入防护电路包括功率检测电路以及泄放电路；所述功率检测电路包括分压电容电路、电源流、第一晶体管、第一电阻、第一电容、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及比较器电路；所述分压电容电路的输入端作为所述输入防护电路的第一输入端，所述分压电容电路用于对所述信号输入端接入的射频功率信号进行分压；所述电源流的输入端连接至工作电压，所述电源流用于经过所述第一晶体管分别为所述第二晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管产生偏置电压；所述第一晶体管的漏极和所述第一晶体管的栅极分别连接至所述电源流的输出端，所述第一晶体管的源极接地；所述第一电阻的第一端连接至所述分压电容电路的输出端，所述第一电阻的第二端连接至所述第一晶体管的栅极；所述第一电容的第一端连接至所述第一电阻的第二端，所述第一电容的第二端接地；所述第二晶体管的栅极连接至所述分压电容电路的输出端；所述第三晶体管的漏极和所述第三晶体管的栅极分别连接至所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极连接至所述工作电压；所述第四晶体管的栅极连接至所述第三晶体管的栅极，所述第四晶体管的源极连接至所述工作电压；所述第五晶体管的漏极连接至所述第四晶体管的漏极；所述第六晶体管的栅极分别连接至所述第一电容的第一端和所述第五晶体管的栅极，所述第六晶体管的漏极分别连接至所述第二晶体管的源极和所述第五晶体管的源极，所述第六晶体管的源极接地；所述比较器电路的输入端连接至所述第四晶体管的漏极，所述比较器电路的输出端连接至所述泄放电路的第一输入端，所述比较器电路用于控制所述泄放电路的导通；所述泄放电路的第二输入端作为所述输入防护电路的第二输入端，所述泄放电路的输出端接地，所述泄放电路用于将所述信号输入端接入的射频功率信号泄放到地。