← 返回列表
一种适用于高频应用的耐高压GaN HEMT及制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种适用于高频应用的耐高压GaN HEMT及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410177837.7 |
| 申请日 | 2024/2/8 |
| 公告号 | CN117727756A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L27/07 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 古佳茜 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
本发明提供一种适用于高频应用的耐高压GaN HEMT及制备方法，该GaN HEMT包括：PN纵向二极管；所述PN纵向二极管包括：第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；所述第二N型掺杂区位于漏极正下方且位于所述第二P型掺杂区和GaN层之间并与所述第二P型掺杂区、所述GaN层和缓冲层邻接；所述第二P型掺杂区位于漏极正下方且位于所述第二N型掺杂区和衬底之间并与所述第二N型掺杂区、所述衬底和所述缓冲层邻接。本发明在漏极下方的缓冲层中引入了PN纵向二极管，PN纵向二极管承受部分电压并拉低了栅极电场尖峰，抬高了平均沟道电场。PN纵向二极管中的N型掺杂区又耗尽了该区域的2DEG加强了对漏极电场的调制效果，减小缓冲层漏电，显著提升了GaN HEMT的电气性能。。来源：百度搜索专利查询网
专利主权项内容
1.一种适用于高频应用的耐高压GaN HEMT，其特征在于，包括：PN纵向二极管；所述PN纵向二极管包括：第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；所述第二N型掺杂区位于漏极正下方且位于所述第二P型掺杂区和GaN层之间并与所述第二P型掺杂区、所述GaN层和缓冲层邻接；所述第二P型掺杂区位于漏极正下方且位于所述第二N型掺杂区和衬底之间并与所述第二N型掺杂区、所述衬底和所述缓冲层邻接。