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增强型垂直HEMT器件
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 增强型垂直HEMT器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410202408.0 |
| 申请日 | 2024/2/23 |
| 公告号 | CN117810250A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 古佳茜 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
一种增强型垂直HEMT器件，其包括由下至上依次层叠设置的漏极结构、衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；间隔设置在势垒层上的栅极结构和源极结构；形成于缓冲层顶部的电流阻挡层，以及形成于电流阻挡层顶部的插入层，插入层的上表面与沟道层的下表面接触，插入层用于抬升插入层与沟道层的接触面上方的能带，以用于隔断源极结构下方的第一二维电子气与缓冲层与沟道层的接触面上方的第二二维电子气；插入层与沟道层的接触面位于栅极结构的下方。通过插入层抬升其上方的能带，以隔断第一二维电子气与第二二维电子气，使得源极结构处的电子无法通过二维电子气传输至缓冲层，进而无法与漏极结构连通，可以通过插入层可以使器件成为增强型器件。
专利主权项内容
1.一种增强型垂直HEMT器件，其特征在于，包括：由下至上依次层叠设置的漏极结构、衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；间隔设置在所述势垒层上的栅极结构和源极结构；形成于所述缓冲层顶部的电流阻挡层，所述电流阻挡层的上表面与所述沟道层的下表面接触，所述源极结构位于所述电流阻挡层与所述沟道层的接触面的上方；以及形成于所述电流阻挡层顶部的插入层，所述插入层的上表面与所述沟道层的下表面接触，所述插入层的厚度为所述势垒层的厚度的十倍以上，所述插入层用于抬升所述插入层与所述沟道层的接触面上方的能带，以用于隔断位于所述源极结构下方的第一二维电子气和位于所述缓冲层与所述沟道层的接触面上方的第二二维电子气；所述插入层与所述沟道层的接触面以及所述缓冲层与所述沟道层的接触面均位于所述栅极结构的下方。