屏蔽栅超结MOSFET及其制备方法、芯片
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 屏蔽栅超结MOSFET及其制备方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410142405.2 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117673164A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 张婷 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
本申请属于功率器件技术领域，提供了一种屏蔽栅超结MOSFET及其制备方法、芯片，在碳化硅衬底的正面形成凹形结构的N型漂移区，N型漂移区的凹槽内形成屏蔽栅多晶硅层和栅极多晶硅层，栅极多晶硅层位于屏蔽栅多晶硅层的上方，且栅极介质层分别包裹屏蔽栅多晶硅层和栅极多晶硅层，第一P型屏蔽区、第二P型屏蔽区形成于栅极介质层的两侧，使得P型屏蔽区和P型体区之间形成JFET区，并由第一P型屏蔽区、第二P型屏蔽区延伸至JFET区，有利于减小器件内的电流路径，降低饱和电流，达到提升短路耐量的目的，还通过P型掺杂区辅助N型漂移区耗尽，从而适当提高N型漂移区的掺杂浓度，降低器件的导通电阻。
专利主权项内容
1.一种屏蔽栅超结MOSFET，其特征在于，所述屏蔽栅超结MOSFET包括：碳化硅衬底和漏极层，所述漏极层形成于所述碳化硅衬底的背面；N型漂移区，形成于所述碳化硅衬底的正面，其中，所述N型漂移区为凹形结构；栅极介质层，形成于所述N型漂移区的凹槽底部以及凹槽内壁；屏蔽栅多晶硅层和栅极多晶硅层，形成于所述栅极介质层内，所述栅极多晶硅层位于所述屏蔽栅多晶硅层的上方，且所述栅极介质层分别包裹所述屏蔽栅多晶硅层和所述栅极多晶硅层；第一P型屏蔽区、第二P型屏蔽区，形成于所述栅极介质层的两侧，且所述第一P型屏蔽区、所述第二P型屏蔽区延伸至所述N型漂移区；第一P型基区、第二P型基区，形成于所述栅极多晶硅层的两侧；第一N型源区、第二N型源区，形成于所述栅极介质层的两侧，其中，所述第一N型源区形成于所述第一P型基区上，所述第二N型源区形成于所述第二P型基区上；第一P型体区和第二P型体区，形成于所述N型漂移区上，且所述第一P型体区与所述第一P型基区接触，所述第二P型体区与所述第二P型基区接触；源极层，形成于所述第一N型源区、所述第二N型源区、所述第一P型体区和所述第二P型体区上，且所述源极层与所述屏蔽栅多晶硅层连接。