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隔离槽型终端IGBT器件及其制造方法
申请人信息
- 申请人:深圳腾睿微电子科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道23号深圳市数字技术园A3栋二层C区
- 发明人: 深圳腾睿微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 隔离槽型终端IGBT器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410161622.6 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117711938A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 深圳腾睿微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 斯海国; 王鹏; 李翔 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南七道23号深圳市数字技术园A3栋二层C区 |
摘要文本
本发明提供一种隔离槽型终端IGBT器件及其制造方法。制造方法包括制备终端耐压结及制备有源区。制备终端耐压结的步骤包括：在第一导电类型的衬底上淀积第一硬掩膜；光刻和刻蚀定义多个刻蚀窗口，槽刻蚀形成多个隔离槽；制备牺牲氧化层并去除；制备屏蔽氧化层，通过多个所述隔离槽注入第二导电类型离子并激活扩散，以形成终端掺杂区；在隔离槽中填充氧化层。通过隔离槽保证第二导电类型离子的注入深度，从而形成具有较深结构的终端耐压结，提高终端耐压能力。终端掺杂区的扩散长度能够精确控制，能够增大深度的同时减小离子的横向扩散尺寸，从而有效减小终端耐压结水平尺寸，提高晶圆出芯数。
专利主权项内容
1.一种隔离槽型终端IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括制备终端耐压结及制备有源区；其中，所述制备终端耐压结的步骤包括：在第一导电类型的衬底上淀积第一硬掩膜；在所述第一硬掩膜上光刻和刻蚀定义多个刻蚀窗口，通过多个刻蚀窗口对衬底进行槽刻蚀以形成多个隔离槽；制备牺牲氧化层并去除；制备屏蔽氧化层，通过多个所述隔离槽注入第二导电类型离子并激活扩散，以形成第二导电类型的终端掺杂区；在隔离槽中填充氧化层，所述终端掺杂区和填充在所述隔离槽中的氧化层形成所述终端耐压结。 更多数据：