高短路耐量的超结MOSFET及其制备方法、芯片
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 高短路耐量的超结MOSFET及其制备方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410142249.X |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117673163A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 张婷 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
本申请属于功率器件技术领域，提供了一种高短路耐量的超结MOSFET及其制备方法、芯片，在碳化硅衬底的正面形成凹形结构的N型漂移区，N型漂移区的凹槽底部以及凹槽内壁形成P型掺杂区，P型掺杂区的凹槽内形成绝缘介质层，并通过在绝缘介质层的两侧形成与所P型掺杂区接触第一P型屏蔽区、第二P型屏蔽区，使得P型屏蔽区和P型体区之间形成JFET区，并由第一P型屏蔽区、第二P型屏蔽区延伸至JFET区，有利于减小器件内的电流路径，降低饱和电流，达到提升短路耐量的目的，还通过P型掺杂区辅助N型漂移区耗尽，从而适当提高N型漂移区的掺杂浓度，降低器件的导通电阻。。来自：
专利主权项内容
1.一种高短路耐量的超结MOSFET，其特征在于，所述高短路耐量的超结MOSFET包括：碳化硅衬底和漏极层，所述漏极层形成于所述碳化硅衬底的背面；N型漂移区，形成于所述碳化硅衬底的正面，其中，所述N型漂移区为凹形结构；P型掺杂区，形成于所述N型漂移区的凹槽底部以及凹槽内壁，且所述P型掺杂区为U形结构；绝缘介质层，形成于所述P型掺杂区的凹槽内；第一P型屏蔽区、第二P型屏蔽区，分别形成于所述绝缘介质层的两侧，且与所述P型掺杂区接触；栅极介质层和栅极多晶硅层，形成于所述绝缘介质层的上，且所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层；第一P型基区、第二P型基区，形成于所述栅极介质层的两侧；第一N型源区、第二N型源区，形成于所述栅极介质层的两侧，其中，所述第一N型源区形成于所述第一P型基区上，所述第二N型源区形成于所述第二P型基区上；第一P型体区和第二P型体区，形成于所述N型漂移区上，且所述第一P型体区与所述第一P型基区接触，所述第二P型体区与所述第二P型基区接触；源极层，形成于所述第一N型源区、所述第二N型源区、所述第一P型体区和所述第二P型体区上。 （更多数据，详见马克数据网）