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GaN HEMT器件及其制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | GaN HEMT器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410202546.9 |
| 申请日 | 2024/2/23 |
| 公告号 | CN117790538A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 古佳茜 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
一种GaN HEMT器件及其制备方法，GaN HEMT器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极结构、栅极结构、P‑GaN钝化层、漏极结构、第一钝化层和第二钝化层。衬底、缓冲层、沟道层和势垒层由下至上依次层叠设置，源极结构、栅极结构、P‑GaN钝化层和漏极结构依次间隔设置在势垒层上，第一钝化层覆盖在势垒层表面，第二钝化层覆盖在P‑GaN钝化层和第一钝化层上。其中，P‑GaN钝化层的材料为P‑GaN，P‑GaN钝化层的厚度小于或等于设定厚度。使用P‑GaN作为钝化材料，可以抑制电流崩塌，小于或等于设定厚度的P‑GaN钝化层对沟道内的二维电子气的影响也会降到最低。
专利主权项内容
1. 一种GaN HEMT器件，其特征在于，包括：由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；依次间隔设置在所述势垒层上的源极结构、栅极结构、P-GaN钝化层和漏极结构，其中，所述P-GaN钝化层的材料为P-GaN，所述P-GaN钝化层的厚度小于或等于设定厚度；覆盖在所述势垒层表面的第一钝化层；以及覆盖在所述P-GaN钝化层和所述第一钝化层上的第二钝化层。