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一种沟槽型MOSFET及制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种沟槽型MOSFET及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410049448.6 |
| 申请日 | 2024/1/12 |
| 公告号 | CN117558762A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘涛 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
专利查询网 。本发明公开了一种沟槽型MOSFET及制备方法，该MOSFET，包括：沟槽；所述沟槽沿第一方向的长度大于第一阈值；所述沟槽包括：填充层；所述填充层填充所述沟槽的内部；所述填充层与衬底形成PN结。本发明通过设计新型的栅极结构代替传统的沟槽栅极形成沟道，将沟道的长度从原来固定的长度变成整个漂移层的长度，沿着漂移层开设沟道，减小了漂移层的电阻，从而减小MOSFET的导通电阻。
专利主权项内容
1.一种沟槽型MOSFET，其特征在于，包括：沟槽；所述沟槽沿第一方向的长度大于第一阈值；所述沟槽包括：填充层；所述填充层填充所述沟槽的内部；所述填充层与衬底形成PN结。