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一种传输线制功率合成方法
申请人信息
- 申请人:深圳市广能达半导体科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区新桥街道黄埔社区上南东路128号1号厂房五层
- 发明人: 深圳市广能达半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种传输线制功率合成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410177184.2 |
| 申请日 | 2024/2/8 |
| 公告号 | CN117728141A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01P5/12 |
| 权利人 | 深圳市广能达半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 邓顶阳; 陈志辉; 张振伟 |
| 地址 | 广东省深圳市宝安区新桥街道黄埔社区上南东路128号1号厂房五层 |
摘要文本
本发明公开了一种传输线制功率合成方法，将多个单极合成器进行多级级联，使得第一级单极合成器的输入端连接的射频模块的功率经过多级级联放大；单极合成器的输入端分别连接两个相同功率的射频模块，这两个射频模块分别连接两条不同的阻抗传输线的一端，两条阻抗传输线的另一端汇集形成单极合成器的输出端；单极合成器的多级级联结构为：第一级的单极合成器的输入端连接射频模块，两个第一级的单极合成器的输出端连接第二级的单极合成器的输入端，两个第二级的单极合成器的输出端连接第三级的单极合成器的输入端，……，两个第n‑1级的单极合成器的输出端连接第n级的单极合成器的输入端，第n级的单极合成器的输出端为功率合成器的输出端。
专利主权项内容
1.一种传输线制功率合成方法，其特征在于，将多个单极合成器进行多级级联，使得第一级单极合成器的输入端连接的射频模块的功率经过多级级联放大；单极合成器的输入端分别连接两个相同功率的射频模块，这两个射频模块分别连接两条不同的阻抗传输线的一端，两条阻抗传输线的另一端汇集形成单极合成器的输出端；单极合成器的多级级联结构为：第一级的单极合成器的输入端连接射频模块，两个第一级的单极合成器的输出端连接第二级的单极合成器的输入端，两个第二级的单极合成器的输出端连接第三级的单极合成器的输入端，……，两个第n-1级的单极合成器的输出端连接第n级的单极合成器的输入端，第n级的单极合成器的输出端为功率合成器的输出端。