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一种BAW滤波器晶圆级封装方法
申请人信息
- 申请人:深圳新声半导体有限公司
- 申请人地址:518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801
- 发明人: 深圳新声半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种BAW滤波器晶圆级封装方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410066659.0 |
| 申请日 | 2024/1/17 |
| 公告号 | CN117579015A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H03H3/02 |
| 权利人 | 深圳新声半导体有限公司 |
| 发明人 | 魏彬; 邹洁; 唐供宾 |
| 地址 | 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801 |
摘要文本
本申请公开了一种BAW滤波器晶圆级封装方法，该方法包括：将提供的第一BAW晶圆的第一表面和第二BAW晶圆的第一表面贴合后，进行晶圆级键合，对晶圆级键合后的BAW晶圆的第一表面进行刻蚀形成硅通孔，使晶圆级键合后的金属焊垫暴露出来，在BAW晶圆的第一表面的非硅通孔区域沉积金属种子层后，在硅通孔中电镀铜后，在形成的铜表面电镀凸点，形成晶圆级封装的BAW滤波器；电镀凸点的过程进行回流焊。其中，通过将作为发送端的第一BAW晶圆和作为接收端的第二BAW晶圆键合在一起，实现三维堆叠，使得占用的面积直接减小一半，便于芯片集成和使用，实现芯片小型化和轻量化。
专利主权项内容
1.一种BAW滤波器晶圆封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一BAW晶圆和第二BAW晶圆；所述第一BAW晶圆的晶圆尺寸和所述第二BAW晶圆的晶圆尺寸相同；设置在所述第一BAW晶圆的第一表面的第一金属焊垫和设置在所述第二BAW晶圆的第一表面的第二金属焊垫相对应；将所述第一BAW晶圆的第一表面和所述第二BAW晶圆的第一表面贴合后，进行晶圆级键合；所述第一BAW晶圆的第二表面作为晶圆级键合后的BAW晶圆的第一表面；所述第二BAW晶圆的第二表面作为所述BAW晶圆的第二表面；对所述BAW晶圆的第一表面进行刻蚀，形成硅通孔；所述硅通孔使晶圆级键合后的金属焊垫暴露出来；在所述BAW晶圆的第一表面的非硅通孔区域沉积金属种子层后，在所述硅通孔中电镀铜后，形成铜表面；所述铜表面与所述硅通孔对应；在所述铜表面电镀凸点，形成晶圆级封装的BAW滤波器；所述电镀凸点的过程进行回流焊。