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一种D-BAW空气环结构及其形成方法
申请人信息
- 申请人:深圳新声半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801
- 发明人: 深圳新声半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种D-BAW空气环结构及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410168208.8 |
| 申请日 | 2024/2/6 |
| 公告号 | CN117749125A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H03H9/56 |
| 权利人 | 深圳新声半导体有限公司 |
| 发明人 | 魏彬 |
| 地址 | 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801 |
摘要文本
本发明提出了一种D‑BAW空气环结构及其形成方法。所述D‑BAW空气环结构包括下电极以及下电极与围栏层形成的体声波空腔内的下电极一端设置有第一空气环结构，以及，在上电极的一端设置第二空气环结构。所述D‑BAW空气环结构还包括基底、压电层、下电极、压电层和上钝化层；所述基底的一侧表面上布设有围栏层；所述围栏层的凹槽与所述压电层形成的体声波空腔内设置有下电极，并且，下电极布设于压电层靠近围栏层一侧的表面上；所述下电极远离压电层的一侧表面上布设有压电层；所述压电层的远离围栏层一侧的表面上布设有上电极；在所述上电极的远离压电层)的一侧表面上布设有上钝化层。
专利主权项内容
1.一种D-BAW空气环结构，其特征在于，所述D-BAW空气环结构包括下电极(14)以及下电极(14)与围栏层(2)形成的体声波空腔(8)内的下电极(14)一端设置有第一空气环结构，以及，在上电极(12)的一端设置第二空气环结构。