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薄膜表面声波滤波器及其制作方法
申请人信息
- 申请人:深圳新声半导体有限公司
- 申请人地址:518109 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801
- 发明人: 深圳新声半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 薄膜表面声波滤波器及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410159953.6 |
| 申请日 | 2024/2/4 |
| 公告号 | CN117713741A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H03H9/25 |
| 权利人 | 深圳新声半导体有限公司 |
| 发明人 | 魏彬; 邹洁; 唐供宾 |
| 地址 | 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801 |
摘要文本
微信公众号专利查询网 。本申请涉及半导体器件技术领域，公开一种薄膜表面声波滤波器及其制作方法。其中，薄膜表面声波滤波器包括基板、IDT电极、焊盘金属层、保护层、支撑部、覆盖部和通孔。基板包括压电层和承载衬底。IDT电极设置于压电层的上方。焊盘金属层设置于承载衬底的上方，且与IDT电极电连接。保护层设置于承载衬底的上方。保护层覆盖于压电层和IDT电极并暴露焊盘金属层。支撑部设置于保护层，并暴露分别与IDT电极和焊盘金属层对应的区域。覆盖部设置于支撑部，且横跨IDT电极上方区域以与支撑部围合形成空腔；通孔通过暴露覆盖部与焊盘金属层对应的区域形成。本申请实现了薄膜表面声波滤波器的小型化、低成本化。
专利主权项内容
1.一种薄膜表面声波滤波器，其特征在于，包括：基板，包括压电层和设置于压电层的下方的承载衬底；IDT电极，设置于压电层的上方；焊盘金属层，设置于承载衬底的上方，且与IDT电极电连接；保护层，设置于承载衬底的上方，且保护层覆盖于压电层和IDT电极并暴露焊盘金属层；支撑部，设置于保护层，并暴露分别与IDT电极和焊盘金属层在垂直方向上对应的区域；覆盖部，设置于支撑部，且横跨IDT电极上方区域以与支撑部围合形成空腔；通孔，暴露覆盖部与焊盘金属层在垂直方向上对应的区域形成。