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一种D-BAW框架结构及其形成方法
申请人信息
- 申请人:深圳新声半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801
- 发明人: 深圳新声半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种D-BAW框架结构及其形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410182213.4 |
| 申请日 | 2024/2/19 |
| 公告号 | CN117749126A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H03H9/56 |
| 权利人 | 深圳新声半导体有限公司 |
| 发明人 | 魏彬 |
| 地址 | 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801 |
摘要文本
本发明提出了一种D‑BAW框架结构及其形成方法，属于体声波滤波器技术领域；所述D‑BAW框架结构包括基底、围栏层、下电极、保护层、压电层、填充层、上电极和调频层；所述围栏层、下电极、保护层、压电层、填充层、上电极和调频层依次沉积于基底上；所述上电极上设置有Frame架构。所述上电极的远离压电层一侧表面上设置有内凹结构。 来自：
专利主权项内容
1.一种D-BAW框架结构的形成方法，其特征在于，所述D-BAW框架结构的形成方法包括：步骤1、在衬底(10)上沉积热氧化层(11)，并且，所述热氧化层(11)仅覆盖部分衬底(10)；步骤2、在所述热氧化层(11)和裸露的衬底(10)上依次沉积上电极(12)和填充层(13)；步骤3、对所述填充层(13)进行刻蚀使上电极(12)的表面平坦化；步骤4、在平台化后的上电极(12)的表面上依次沉积压电层(14)和下电极(15)，并刻蚀去除衬底(10)；步骤5、对下电极(15)进行部分刻蚀去除，并在下电极(15)远离压电层(14)一侧的表面上沉积下钝化层(20)；步骤6、裸露的部分压电层(14)表面以及下钝化层(20)的部分表面上沉积牺牲层(16)；步骤7、在所述压电层(14)的剩余裸露表面以及下钝化层(20)的剩余裸露表面上沉积围栏层(17)，并且，所述围栏层(17)与牺牲层(16)保持水平；步骤8、在围栏层(17)与牺牲层(16)共同的水平面上布设基底(18)；步骤9、对上电极(12)进行部分刻蚀使暴露填充层，同时，对所述热氧化层(11)进行刻蚀去除，并在上电极(12)和裸露的填充层(13)的表面上沉积上钝化层(19)；所述上钝化层(19)沉积完成之后，对牺牲层(16)进行刻蚀去除。