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一种碳化硅MOS器件封装检测方法和系统
申请人信息
- 申请人:广东仁懋电子有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市罗湖区桂园街道鹿丹村社区滨河路1011号鹿丹大厦1901
- 发明人: 广东仁懋电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅MOS器件封装检测方法和系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410106090.6 |
| 申请日 | 2024/1/25 |
| 公告号 | CN117630627A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | G01R31/26 |
| 权利人 | 广东仁懋电子有限公司 |
| 发明人 | 窦静; 仇亮 |
| 地址 | 广东省深圳市罗湖区桂园街道鹿丹村社区滨河路1011号鹿丹大厦1901 |
摘要文本
本发明提供一种碳化硅MOS器件封装检测方法和系统，包括：获取封装后的碳化硅MOS器件的键合线状态信号，根据键合线状态信号，筛选得到碳化硅MOS器件在键合线正常及失效状态下的封装特征参量；基于碳化硅MOS器件在键合线正常及失效状态下的封装特征参量，通过希尔伯特变换、离散傅里叶变换和希尔伯特‑黄变换生成封装特征参量对应的综合特征矩阵；将综合特征矩阵与预设标准综合特征矩阵进行比对，得到碳化硅MOS器件封装的检测结果。本发明通过Hilbert变换方法、离散傅里叶变换方法以及希尔伯特‑黄变换方法生成综合特征矩阵对碳化硅MOS器件封装进行检测消除了单一数字保护算法的局限性，实现了对碳化硅MOS器件封装状态的高精度检测。
专利主权项内容
1.一种碳化硅MOS器件封装检测方法，其特征在于，包括：获取封装后的碳化硅MOS器件的键合线状态信号，根据所述键合线状态信号，筛选得到所述碳化硅MOS器件在键合线正常及失效状态下的封装特征参量；基于所述碳化硅MOS器件在键合线正常及失效状态下的封装特征参量，通过希尔伯特变换、离散傅里叶变换和希尔伯特-黄变换生成所述封装特征参量对应的综合特征矩阵；将所述综合特征矩阵与预设标准综合特征矩阵进行比对，得到碳化硅MOS器件封装的检测结果。 微信公众号马克数据网