一种碳化硅MOS管可靠性评估方法及系统
申请人信息
- 申请人:深圳辰达半导体有限公司
- 申请人地址:518109 广东省深圳市龙华区民治街道北站社区鸿荣源北站中心B塔1303
- 发明人: 深圳辰达半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅MOS管可靠性评估方法及系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410140369.6 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117686872A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | G01R31/26 |
| 权利人 | 深圳辰达半导体有限公司 |
| 发明人 | 马奕俊 |
| 地址 | 广东省深圳市龙华区民治街道北站社区鸿荣源北站中心B塔1303 |
摘要文本
本发明公开了一种碳化硅MOS管可靠性评估方法及系统，涉及碳化硅MOS管领域，评估方法包括：抽取若干个碳化硅MOS管作为试验样品；设置碳化硅MOS管最佳工作状态时的环境数据；计算可靠性系数f1、可靠性系数f2和可靠性系数f3；计算该批生产出的碳化硅MOS管在温度大范围波动环境下使用的可靠性系数P，根据可靠性系数P的大小对该批生产出的碳化硅MOS管进行可靠性评估。评估系统包括：试验箱、安装在试验箱内的制热模块和制冷模块、与试验箱通过管道连接的水泵和水箱、腐蚀气体释放泵、腐蚀气体存储罐和压力执行器。本发明基于性能波动参数的变化情况计算出各状态下的可靠性系数，通过各状态下的可靠性系数来对碳化硅MOS管整体的可靠性进行综合评估。 （来 自 专利查询网）
专利主权项内容
1.一种碳化硅MOS管可靠性评估方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在同一批生产出的碳化硅MOS管中采用随机抽样的方式抽取若干个碳化硅MOS管作为试验样品；S2：建立碳化硅MOS管的可靠性试验系统，设置碳化硅MOS管最佳工作状态时的环境数据，环境数据包括环境温度、湿度、腐蚀气体环境浓度和外界应力；tsqFS3：取试验样品中的一个碳化硅MOS管，测试碳化硅MOS管在低温环境下的可靠性，并计算可靠性系数，低温环境为温度范围为-的环境，为碳化硅MOS管使用时的环境温度最低值；f1ttmintminS4：取试验样品中一个新的碳化硅MOS管替换可靠性试验系统中的完成低温试验的碳化硅MOS管，测试碳化硅MOS管在高温环境下的可靠性，并计算可靠性系数；高温环境为温度范围为-的环境，为碳化硅MOS管使用时的环境温度最高值；f2ttmaxtmaxS5：取试验样品中另一个新的碳化硅MOS管替换可靠性试验系统中已经完成高温试验的碳化硅MOS管，测试碳化硅MOS管在最佳工作环境下的可靠性，并计算可靠性系数3；fS6：计算该批生产出的碳化硅MOS管在温度大范围波动环境下使用的可靠性系数，根据可靠性系数的大小对该批生产出的碳化硅MOS管进行可靠性评估。PP 搜索马 克 数 据 网