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一种功率半导体用金属基覆金属箔板及其线路蚀刻工艺
申请人信息
- 申请人:珠海精路电子有限公司
- 申请人地址:519000 广东省珠海市金湾区三灶镇定湾四路111号
- 发明人: 珠海精路电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种功率半导体用金属基覆金属箔板及其线路蚀刻工艺 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410114835.3 |
| 申请日 | 2024/1/29 |
| 公告号 | CN117769117A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H05K1/02 |
| 权利人 | 珠海精路电子有限公司 |
| 发明人 | 徐建华; 林晨; 李立岳; 杨国栋; 梁远文; 蔡旭峰 |
| 地址 | 广东省珠海市金湾区三灶镇定湾四路111号 |
摘要文本
本申请涉及电路板生产领域，公开了一种功率半导体用金属基覆金属箔板，金属基覆金属箔板包括依次叠置的金属基板、树脂组合物介质层和电路层，金属基板用于金属基覆金属箔板的散热结构，树脂组合物介质层的热导率为0.3～30W(m·℃)，电路层用于固定IGBT芯片，电路层的铜箔厚度为0.01～1.0mm，电路层靠近金属基板的一侧设有第一蚀刻图形，电路层远离金属基板的一侧设有第二蚀刻图形，第一蚀刻图形和第二蚀刻图形分别完成加工后相互贯穿形成电路层的电路图形。第一蚀刻图形和第二蚀刻图形的蚀刻深度为电路层的铜箔厚度的1/3至2/3。本申请通过对IGBT模块的电路层结构进行改进，有效避免了侧蚀，并且改善了IGBT模块基板的散热能力。
专利主权项内容
1.一种功率半导体用金属基覆金属箔板，其特征在于，金属基覆金属箔板(1)包括依次叠置的金属基板(11)、树脂组合物介质层(12)和电路层(13)，金属基板(11)用于金属基覆金属箔板(1)的散热结构，树脂组合物介质层(12)的热导率为0.3～30W(m·℃)，电路层(13)用于固定IGBT芯片(131)，电路层(13)的铜箔厚度为0.01～1.0mm，电路层(13)靠近金属基板(11)的一侧设有第一蚀刻图形(131)，电路层(13)远离金属基板(11)的一侧设有第二蚀刻图形(132)，第一蚀刻图形(131)和第二蚀刻图形(132)分别完成加工后相互贯穿形成电路层(13)的电路图形(133)。 （来 自 马 克 数 据 网）