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一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 申请人地址:519100 广东省珠海市高新区金园二路39号
- 发明人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410096071.X |
| 申请日 | 2024/1/24 |
| 公告号 | CN117613071B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L29/207 |
| 权利人 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
| 发明人 | 汪可; 赵广元; 李啓珍; 陈扶 |
| 地址 | 广东省珠海市高新区金园二路39号 |
摘要文本
本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件。该器件包括：衬底；第一缓冲层，第一缓冲层位于衬底之上，第一缓冲层为受主能级掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层；第二缓冲层，第二缓冲层位于第一缓冲层远离衬底的表面，第二缓冲层为受主能级掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层，其中，第二缓冲层的受主能级掺杂浓度大于第一缓冲层的受主能级掺杂浓度，第二缓冲层的厚度小于第一缓冲层的厚度；氮化镓铝背势垒层，氮化镓铝背势垒层位于第二缓冲层远离第一缓冲层的表面，氮化镓铝背势垒层中铝原子和镓原子的比例为1：9；外延层，外延层位于氮化镓铝背势垒层的表面。本发明实施例提供的技术方案降低了器件漏电流，提升了器件的电性参数的可靠性。
专利主权项内容
1.一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，包括：衬底；第一缓冲层，所述第一缓冲层位于所述衬底之上，所述第一缓冲层为受主能级掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层；第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层远离所述衬底的表面，所述第二缓冲层为受主能级掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体层，其中，所述第二缓冲层的受主能级掺杂浓度大于所述第一缓冲层的受主能级掺杂浓度，所述第二缓冲层的厚度小于所述第一缓冲层的厚度；氮化镓铝背势垒层，所述氮化镓铝背势垒层位于所述第二缓冲层远离所述第一缓冲层的表面，所述氮化镓铝背势垒层中铝原子和镓原子的比例为1：9；外延层，所述外延层位于所述氮化镓铝背势垒层远离所述第二缓冲层的表面；P型氮化物层，所述P型氮化物层位于所述外延层远离所述氮化镓铝背势垒层的表面；栅极，所述栅极位于所述P型氮化物层远离所述外延层的表面；源极，所述源极位于所述外延层远离所述氮化镓铝背势垒层的表面；漏极，所述漏极位于所述外延层远离所述氮化镓铝背势垒层的表面。。微信公众号马克数据网