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一种氮化镓射频器件以及制备方法
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 申请人地址:519100 广东省珠海市高新区金园二路39号
- 发明人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种氮化镓射频器件以及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410032721.4 |
| 申请日 | 2024/1/10 |
| 公告号 | CN117542887A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
| 发明人 | 司乙川 |
| 地址 | 广东省珠海市高新区金园二路39号 |
摘要文本
本发明公开了一种氮化镓射频器件以及制备方法。该氮化镓射频器件包括：高阻衬底，高阻衬底的电阻率大于或等于1000Ω·cm，高阻衬底内掺杂有电中性原子，电中性原子的部分或者全部位于高阻衬底的晶格间隙中；电中性原子的掺杂浓度小于1019/cm3；外延层，外延层位于高阻衬底之上。本发明实施例提供的技术方案实现了氮化硅器件的高外延良率和低制备成本。。关注微信公众号专利查询网
专利主权项内容
1.一种氮化镓射频器件，其特征在于，包括：高阻衬底，所述高阻衬底的电阻率大于或等于1000 Ω·cm，所述高阻衬底内掺杂有电中性原子，所述电中性原子的部分或者全部位于所述高阻衬底的晶格间隙中；所述电中性原子的掺杂浓度小于10/cm；193外延层，所述外延层位于所述高阻衬底之上。