一种氮化镓器件结构
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 申请人地址:519100 广东省珠海市高新区金园二路39号
- 发明人: 英诺赛科(珠海)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种氮化镓器件结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410038752.0 |
| 申请日 | 2024/1/11 |
| 公告号 | CN117558749A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H01L29/423 |
| 权利人 | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
| 发明人 | 司乙川; 严慧; 冼添恒; 张昕 |
| 地址 | 广东省珠海市唐家湾镇港湾大道科技一路10号主楼第六层617房B单元 |
摘要文本
本发明提供了一种氮化镓器件结构，该氮化镓器件结构包括：氮化镓器件结构的有源区包括多个条形栅极、多个条形源极、多个条形漏极、桥接栅极和栅极导电连接结构；且条形源极和条形漏极之间设置一条形栅极；桥接栅极位于其连接的相邻两选定条形栅极之间的外延层远离衬底的表面，桥接栅极跨越相邻两选定条形栅极之间的条形源极或者条形漏极，以连接相邻的两选定条形栅极，其中，多个条形栅极之中的部分或者全部为选定条形栅极；栅极导电连接结构位于桥接栅极远离外延层的表面，栅极导电连接结构用于接入栅极电源信号。本发明实施例的技术方案降低了氮化镓器件中的栅极电阻，提升了其在高频应用领域的电学性能。 来自：马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种氮化镓器件结构，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层位于所述衬底之上；所述氮化镓器件结构的有源区包括多个条形栅极、多个条形源极、多个条形漏极、至少一个桥接栅极和栅极导电连接结构；多个所述条形栅极在第一方向间隔排列且位于所述外延层远离所述衬底的表面；多个所述条形源极在第一方向间隔排列且位于所述外延层远离所述衬底的表面；多个所述条形漏极在第一方向间隔排列且位于所述外延层远离所述衬底的表面；所述条形栅极与所述条形源极和所述条形漏极间隔且相邻设置，且所述条形源极和所述条形漏极之间设置一所述条形栅极；所述桥接栅极位于其连接的相邻两选定条形栅极之间的外延层远离所述衬底的表面，所述桥接栅极跨越相邻两选定条形栅极之间的条形源极或者条形漏极，以连接相邻的两选定条形栅极，其中，多个条形栅极之中的部分或者全部为选定条形栅极，所述桥接栅极和所述条形源极在所述衬底的正投影无交叠，且所述桥接栅极和所述条形漏极在所述衬底的正投影无交叠；所述栅极导电连接结构位于桥接栅极远离所述外延层的表面，所述栅极导电连接结构用于接入栅极电源信号。