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碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法
申请人信息
- 申请人:南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 申请人地址:211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室
- 发明人: 南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410096823.2 |
| 申请日 | 2024/1/24 |
| 公告号 | CN117637853A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 发明人 | 张跃; 柏松; 陈宇; 魏朗; 黄润华; 宋晓峰; 杨勇 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室; ; 江苏省南京市秦淮区中山东路524号 |
摘要文本
本发明公开了一种碳化硅槽栅MOSFET元胞结构及其制造方法，结构包括漏极电极、元胞衬底、元胞外延层、元胞电流扩展层、元胞阱区、元胞源区、隔离介质层、源极电极，位于元胞外延层之中、为元胞电流扩展层所包围的第二沟槽，位于第二沟槽之上的第一沟槽，位于元胞外延层之中的，部分填充第一沟槽、完全填覆第二沟槽的栅介质层，为栅介质层所包围的栅极电极；本发明在避免损害器件晶格结构和导通特性的前提下，既实现屏蔽区与源极电极的短接，又实现对栅介质的有效保护，有效提升器件的开关特性。本发明同样公开了一种碳化硅槽栅MOSFET元胞结构的制造方法。
专利主权项内容
1.一种碳化硅槽栅MOSFET元胞结构，其特征在于，包括：漏极电极；元胞衬底，位于所述漏极电极之上；元胞外延层，位于所述元胞衬底之上；元胞电流扩展层，位于所述元胞外延层之中；第二沟槽，位于所述元胞外延层之中，为元胞电流扩展层所包围；第一沟槽，位于所述元胞外延层之中、所述第二沟槽之上，且与所述第二沟槽相连通；元胞阱区，位于所述元胞外延层之中；元胞源区，位于所述元胞阱区之中；栅介质层，位于所述第一沟槽、第二沟槽之中，部分填充第一沟槽，完全填覆第二沟槽；栅极电极，位于所述第一沟槽之中，为栅介质层所包围；隔离介质层，位于所述元胞外延层之上，完全覆盖栅极电极；源极电极，位于所述隔离介质层的两侧及之上。