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一种SiC MOSFET器件及制造方法
申请人信息
- 申请人:南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 申请人地址:211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室
- 发明人: 南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种SiC MOSFET器件及制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410016805.9 |
| 申请日 | 2024/1/5 |
| 公告号 | CN117790578A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 南京第三代半导体技术创新中心有限公司; 南京第三代半导体技术创新中心; 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 发明人 | 黄润华; 张腾; 张跃; 柏松; 杨勇 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室; ; 江苏省南京市秦淮区瑞金路街道中山东路524号 |
摘要文本
本发明公开一种SiC MOSFET器件及制造方法，器件包括位于漏欧姆电极金属之上的衬底；位于衬底之上的漂移区；位于漂移区之中的Pwell注入区；相邻Pwell注入区之间为JEFT1区；位于Pwell注入区之上的P型沟道注入区、JEFT2区、N+注入区；位于JEFT2区和P型沟道注入区之上的P+注入区；贯穿N+注入区、P型沟道注入区、JEFT2区、P+注入区的沟槽；位于沟槽底部、沟槽侧壁的栅介质；位于栅介质内部的栅电极；覆盖栅电极顶部的隔离介质；覆盖隔离介质的上表面的源欧姆接触电极。本发明通过增大沟槽深度来增大沟道密度，底部注入区的屏蔽注入远离MOS沟道，器件具有较好的耐压。 来自马-克-数-据
专利主权项内容
1.一种SiC MOSFET器件，其特征在于，包括，漏欧姆电极金属；衬底，位于漏欧姆电极金属之上；漂移区，位于衬底之上；Pwell注入区，位于漂移区之中；相邻Pwell注入区不连通处的漂移区为JEFT1区；P型沟道注入区，位于Pwell注入区之上；JEFT2区，位于Pwell注入区之上，且与JEFT1区连通；N+注入区，位于Pwell注入区之上；P+注入区，位于JEFT2区和P型沟道注入区之上；沟槽，贯穿N+注入区、P型沟道注入区、JEFT2区、P+注入区；栅介质，位于沟槽底部、沟槽侧壁；栅电极，位于沟槽中的栅介质内部；隔离介质，覆盖栅电极顶部；源欧姆接触电极，覆盖隔离介质的上表面、P+注入区上表面、N+注入区上表面。 马 克 数 据 网